對實驗數(shù)據(jù)的判斷方法

與出廠實驗數(shù)據(jù)或安裝交接實驗數(shù)據(jù)比較應無明顯的變化；

與同類產(chǎn)品比較應無明顯的差異。

與歷年實驗數(shù)據(jù)比較應無顯著的差別。

實驗結果應符合相關規(guī)程的規(guī)定。

數(shù)據(jù)異常的也許因素

絕緣電阻下降

a.受潮;

b.外套臟污;

c.絕緣老化變質(zhì);

d.局部絕緣破損或擊穿。

介質(zhì)損耗因數(shù)增大

a.受潮或外套臟污;

b.外電場干擾;

c.實驗引線或接地線接觸不良導致的附加損耗;

d.電容屏半擊穿狀態(tài)形成的附加電阻;

e.內(nèi)部絕緣存在局部放電缺陷;

f.絕緣老化、變質(zhì)導致介質(zhì)損耗增長;

介質(zhì)損耗隨實驗電壓的下降而增長，說明電容屏絕緣材料有雜質(zhì)，

電容量增長

a.個別電容元件擊穿或電容屏層間絕緣存在擊穿問題；

b.電容元件或電容屏受潮;

c.采用反接線測量時高壓引線太長(引線對地電容大)

電容量減小

a.電容元件之間的連接線或電容屏引線斷線或接觸不良;

b.油浸式電容器或互感器內(nèi)部缺油。

直流電阻異常

a.線圈存在匝間短路;

b.線圈存在焊接或接觸不良、斷線等問題。

勵磁特性異常

a.勵磁電流增長:繞組存在匝間短路，此時變比也會發(fā)生變化；

b.勵磁電流變小:繞組存在斷線或虛焊問題。